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描述：日本OMRON終端繼電器產(chǎn)品介紹緣電阻 100MΩ以上（DC500V兆歐表）輸入輸出間耐電壓 AC2,000V 50/60Hz 1min振動(dòng) 10～55～10Hz 單振幅0.75mm（雙振幅1.5mm）
產(chǎn)品型號(hào)：G6B-4BND廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時(shí)間：2025-11-25訪問量：1970
產(chǎn)品介紹/ PRODUCT PRESENTATION日本OMRON終端繼電器產(chǎn)品介紹
詳細(xì)介紹
標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品獲得UL、CSA、VDE標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品 （VDE品僅限G6D-F4B）。
額定電壓
注1. 額定電流、線圈電阻的值是指， 線圈溫度為+23℃時(shí)的值， 公差為±10%。
2. 動(dòng)作特性指的是線圈溫度為+23℃時(shí)的值。
3. 容許電壓是指， 繼電器線圈操作電源的電壓容許變化范圍內(nèi)的值。 不是連續(xù)容許。
4. 額定電流包含終端的LED電流。
* 但僅限上下反向安裝時(shí)為75%以下。
額定負(fù)載 AC250V 3A、DC30V 3A
額定通電電流
接點(diǎn)電壓的值 AC250V、DC30V
接點(diǎn)電流的值
開關(guān)容量值(參考值) 1,250VA、150W
功率MOS FET繼電器規(guī)格
輸入（單個(gè)G3DZ功率MOS FET繼電器）
額定電壓
(V) 使用電壓 動(dòng)作電壓
電平 復(fù)位電
壓電平 輸入阻抗 額定電流
DC 12 DC9.6～14.4V DC9.6V以下 DC1V
以上 2kΩ±20% 8.0mA±20%
24 DC19.2～28.8V DC19.2V以下 4kΩ±20% 8.2mA±20%
注：額定電流包含終端的LED電流。
使用注意
輸出（單個(gè)G3DZ功率MOS FET繼電器）
負(fù)載電壓 負(fù)載電流 浪涌ON電流耐量
AC3～264V
DC3～125V 100μ～0.3A 6A (10ms)
注：G3DZ上沒有輸出極性。
接觸電阻 *1 100mΩ以下
動(dòng)作時(shí)間 *2 10ms以下
復(fù)位時(shí)間 *2 10ms以下
緣電阻 1,000MΩ以上(DC500V兆歐表)
耐電壓 線圈/接點(diǎn)之間 AC2,000V 50/60Hz 1min
同極接點(diǎn)間 AC750V 50/60Hz 1min
耐沖擊電壓
(線圈/接點(diǎn)之間) 4,000V(1.2×50μs)
振動(dòng) 耐久 10～55～10Hz 單振幅0.75mm(雙振幅1.5mm)
誤動(dòng)作 10～55～10Hz 單振幅0.75mm(雙振幅1.5mm)
沖擊 耐久 500m/s2
誤動(dòng)作 100m/s2
耐久性 機(jī)械 2,000萬次以上(開關(guān)頻率18,000次/h)
電氣 *2 AC250V 3A(電阻負(fù)載)10萬次以上
DC30V 3A(電阻負(fù)載)10萬次以上
(開關(guān)頻率1,800次/h)
故障率P水準(zhǔn)(參考值 *3) DC5V、10mA
使用環(huán)境溫度、保管溫度 -25～+55℃(無結(jié)冰)
使用環(huán)境濕度 45～85%RH
約65g
注：上述值為初始值。
*1. 測量條件： DC5V 1A
*2. 環(huán)境溫度條件： +23℃
*3. 此值為開關(guān)頻率120次/min時(shí)的值。
功率MOS FET繼電器輸出
繼電器作用
動(dòng)作時(shí)間 10ms以下
復(fù)位時(shí)間 15ms以下
輸出ON電阻 2.4Ω以下
開路時(shí)漏電流 10μA以下(DC125V時(shí))
緣電阻 100MΩ以上(DC500V兆歐表)
輸入輸出間耐電壓 AC2,000V 50/60Hz 1min
振動(dòng) 10～55～10Hz 單振幅0.75mm(雙振幅1.5mm)
沖擊 500m/s2
使用環(huán)境溫度、保管溫度 -25～+55℃(無結(jié)冰)
使用環(huán)境濕度 45～85%RH
約65g
寬31×高35×進(jìn)深68mm。與PYF尺寸相同。
單獨(dú)接點(diǎn)、單獨(dú)線圈。
用短路棒（另售） 簡單連接共用端子。 而且還可以共用連接臨近的終端。
端子蓋可防止觸電事故。
備有內(nèi)置繼電器型和功率MOS FET繼電器型，品種齊備。
帶動(dòng)作指示LED。
內(nèi)置線圈浪涌吸收用二極管。
DIN導(dǎo)軌安裝、螺釘安裝共用。
附帶繼電器的拆卸工具。
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